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深圳市宇集芯电子有限公司
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产品信息
BACK TO P 沟道 31V 至 99V
Diodes 致力于提供创新的产品解决方案，满足您的应用产品需求，为消费、通讯、运算、储存、连接及显示技术等主要市场提供现今设计不可或缺的技术。Diodes 针对现今持续成长之计算机、数字影像、嵌入式系统、网络、电信、服务器、储存、超行动及无线技术等极具速度及带宽需求的应用产品，为所需之高速讯号频率、切换、桥接及调节提供必要的解决方案。
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 60 V
Id-连续漏极电流: - 160 mA
Rds On-漏源导通电阻: 14 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: - 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 625 mW
通道模式: Enhancement
封装: Bulk
高度: 4.01 mm
长度: 4.77 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: ZVP3306
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: FET
宽度: 2.41 mm
商标: Diodes Incorporated
正向跨导 - 值: 60 mS
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 8 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
单位重量: 453.600 mg