深圳市宇集芯电子有限公司

9年

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产品分类

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供应EMD3T2R

集电极连续电流:100 mA 峰值直流集电极电流:100 mA 工作温度:+ 150 C 工作温度:- 55 C

门驱动器SIC779CD-T1-GE3百分百进口原装,假一罚十

电源电压-:16 V 电源电压-:3 V 工作温度:- 40 C 工作温度:+ 125 C

供应MOSFET威世SQJ910AEP-T1-GE3进口原装假一罚十

Qg-栅极电荷:39 nC, 39 nC Id-连续漏极电流:30 A, 30 A 工作温度:- 55 C 工作温度:+ 175 C

供应开关稳压器SIC462ED-T1-GE3百分百进口原装

输出电压:800 mV to 48 V 输出电流:6 A 输入电压:60 V 输入电压:4.5 V

供应微控制器STM32F103C8T6百分百进口原装假一罚十

运行电压范围:2V至3.6V CPU速度:72MHz 程序内存大小:64KB 存储器容量, RAM:20KB

双极晶体管MPS6523G百分百进口原装现货

集电极—发射极电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极—射极饱和电压:0.5 V 工作温度:+ 150 C

供应BQ25606RGER电池管

工作电源电压:3.9 V to 13.5 V 工作电源电流:3 mA 工作温度:- 40 C 工作温度:+ 85 C

供应2SK3541T2L罗姆ROHM 2.5V Drive Nch MOSFET_2SK3541

Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:100 mA Vgs - 栅极-源极电压:20 V 工作温度:+ 150 C

供应BU21024FV-ME2电阻式触摸屏控制器IC

操作温度(°C):40 待机电流μa:60.0 VCC(MIN.)[V]:2.7 Vcc(Max.)[V]:3.6

供应BU1S12S1AG-LB罗姆A/D转换器

电源电压():2.7 电源电压():5.25 工作温度(分钟)]°C:- 40 工作温度()[°C ]:105

供应BD9555FVM-C 罗姆CR控制方式计时器IC

电源电压():4.5 电源电压():42 工作温度(分钟):40°C 电路电流(典型值):3

供应SM320C6455BGTZSEP增强型产品定点数字信号处理器

工作温度:+ 105 C 工作电源电压:1.25 V 时钟频率:1 GHz 工作温度:- 55 C

供应STM32F103RCT6 ARM微控制器 - MCU

程序存储器大小:256 kB 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度:+ 85 C 电源电压-:3.6 V

供应ADUM241E1BRWZ数字隔离器进口原装现货

电源电压-:5.5 V 电源电压-:1.7 V 工作电源电流:10.3 mA, 11.4 mA 工作温度:+ 125 C

供应AD7715AN-5模数转换器进口原装现货,假一罚十

工作温度:+ 85 C 工作温度:- 40 C 工作电源电压:5 V Pd-功率耗散:9.5 mW

供应陀螺仪 ADIS16265BCCZ进口原装现货,假一罚十

工作电源电流:41 mA 电源电压-:5.25 VDC 电源电压-:4.75 VDC 工作温度:+ 105 C

供应PIC16F887-I/PT微控制器 进口原装现货

时钟频率:20 MHz 数据 RAM 大小:368 B 工作电源电压:2 V to 5.5 V 电源电压-:5.5 V

供应TMS320F206PZA数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC

时钟频率:20 MHz 程序存储器大小:64 kB 工作电源电压:5 V 工作温度:+ 85 C

供应ADM690ANZ监控电路

阈值电压:4.65 V 电源电压-:5.5 V 工作温度:+ 85 C 工作电源电流:1.95 mA

供应AD9901TQ/883B锁相环 - PLL

电源电压-:- 5.46 V, + 5.25 V 电源电压-:- 4.94 V, + 4.75 V 工作温度:- 25 C 工作温度:+ 85 C

供应A42MX36-1PQG208M进口原装FPGA - 现场可编程门阵列

工作电源电压:3.3 V, 5 V 工作温度:- 55 C 工作温度:+ 125 C 工作频率:151 MHz

供应A3PE3000L-1FGG484M现场可编程门阵列,进口原装假一罚十

工作电源电压:1.2 V, 1.5 V 工作温度:- 55 C 工作温度:+ 125 C 电源电压-:1.575 V

供应ADSP-TS201SABP-050数字信号处理器和控制器

工作温度:+ 85 C 工作温度:- 40 C 工作电源电压:1.05 V 电源电压-:1.1 V

供应AD7705BRUZ模数转换器,进口原装现货,假一罚十

工作温度:+ 85 C 工作温度:- 40 C 增益误差:+/- 0.003 %FSR 工作电源电压:5 V

供应AD7705BNZ模数转换器,进口原装现货,假一罚十

分辨率:16 bit 采样比:500 S/s 工作温度:+ 85 C 工作电源电压:5 V

供应ADR4520BRZ-R7参考电压

输出电压:2.048 V 工作温度:+ 125 C 输入电压:3 V to 15 V 工作电源电流:950 uA

供应SMJ320C6203GLPM20定点数字信号处理器

型号:SMJ320C6203 工作温度范围(C):- 55至125 DSP:1 C62x 评级:军工级

供应TGC4671混频器 进口原装

RF 值(MHz):71,000 RF 值(MHz):86,000 转换增益(dB):-12 LO 功率(dBm):15

供应TGC4546-SM上下转换器

工作电源电压:4 V, 5 V 工作电源电流:230 mA, 250 mA 工作温度:+ 85 C 工作温度:- 40 C

供应TGC4405-SM上变频器/下变频器

RF 值(GHz):17 RF 值(GHz):27 转换增益(dB):13 LO 功率(dBm):2

供应TGC2610-SM上下转换器 进口原装

RF 值(GHz):10 RF 值(GHz):15.4 IF 值(GHz):4 转换增益(dB):14

供应TGA2601-SM-T/R射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

Vds-漏源极击穿电压:5 V Id-连续漏极电流:100 mA 工作温度:+ 200 C Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

供应T2G6001528-SG射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:5 A 输出功率:17 W Pd-功率耗散:28 W

供应T1G4020036-FS射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

频率值(MHz):DC 频率值(MHz):3,500 增益(dB):16 漏极效率(%):52

供应T1G2028536-FL射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

频率值(MHz):2,000 增益(dB):19 Psat(dBm):54.2 漏极效率(%):54

供应T1G2028536-FS射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:36 V Vgs-栅源极击穿电压:145 V Id-连续漏极电流:24 A

供应T1G3000532-SM射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:32 V Vgs-栅源极击穿电压:- 2.7 V Id-连续漏极电流:0.6 A

供应T1G6001032-SM射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

Vds-漏源极击穿电压:32 V Id-连续漏极电流:1.2 A 漏极/栅极电压:- 2.9 V Pd-功率耗散:16 W