TPS7H3301-SP 内置 VREF 的灌电流/拉电流抗辐射加固型 3A DDR 终端稳压器

1 特性


QML V 类符合 5962-14228(1)(2)
总电离剂量为 100krad (Si)
高剂量率 (HDR) (50-100 rad(Si)/s)
低剂量率 (LDR) (0.01 rad(Si)/s)
单粒子锁定 (SEL)、单粒子栅穿 (SEGR)、单粒子烧毁 (SEB) 对于线性能量传输 (LET) 的抗扰度 = 65MeV-cm2/mg
单粒子瞬变 (SET)、单粒子功能中断 (SEFI)、单粒子翻转 (SEU) 的抗扰度为 65MeV-cm2/mg（详细信息请参见辐射）
支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3LP 和 DDR4 终端 应用 并兼容 JEDEC 标准
输入电压：支持 2.5V 和 3.3V 电源轨(3)
独立低电压输入 (VLDOIN) 降至
0.9V 以改善电源效率(3)
具有压降补偿功能的 3A 灌电流/拉电流终端稳压器
用于电源排序的使能输入和电源正常输出
VTT 终端稳压器
输出电压范围：0.5V 至 1.75V
3A 灌电流和拉电流
为 ±20mV
具有感测输入的精密集成分压器网络
远程感测 (VOSNS)
VTTREF 缓冲参考输出
为 VDDQ/2 ± 1%
±10mA 灌/拉电流
集成了内置软启动 (SS)、欠压锁定 (UVLO) 以及过流限制 (OCL) 功能
2 应用


采用 DDR、DDR2、DDR3 和低功耗 DDR3 和 DDR4 存储器的 单电路板计算机、固态记录器和载荷 应用
超快速瞬态电源 应用
支持军用温度范围（-55°C 至 125°C）
提供工程评估 (/EM) 组件(4)
3 说明


TPS7H3301-SP 是一款内置 VREF 的 TID 和单粒子效应 (SEE) 抗辐射加固型双倍数据速率 (DDR) 3A 终端稳压器。该稳压器专门用于为空间 DDR 终端应用 （如单电路板计算机、固态记录器和载荷处理应用） 提供一套完整的紧凑型、低噪声解决方案。


TPS7H3301-SP 支持并兼容 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 以及相关的低功耗 JEDEC 规范。凭借快速瞬态响应，TPS7H3301-SP VTT 稳压器可在读取/写入状态下提供稳定性较高的电源。TPS7H3301-SP 还包含一个内置的 VREF 电源。该电源可跟踪 VTT 以进一步缩减解决方案尺寸。在瞬态变化过程中，VREF 电源的快速跟踪功能能够限度地降低 VTT 和 VREF 之间的电压偏移。

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