深圳市宇集芯电子有限公司

9年

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供应 FDC6561AN  Fairchild Semiconductor系列原装价格优势!欢迎咨询
供应 FDC6561AN  Fairchild Semiconductor系列原装价格优势!欢迎咨询
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供应 FDC6561AN Fairchild Semiconductor系列原装价格优势!欢迎咨询

Vds-漏源极击穿电压::

30 V

Id-连续漏极电流::

2.5 A

Rds On-漏源导通电阻::

95 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压::

20 V

产品信息

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 95 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Dual
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 值: 5 S
高度: 1 mm
长度: 3 mm
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 900 mW
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 10 ns
系列: PowerTrench
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 2 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 1.7 mm
零件号别名: FDC6561AN_NL
单位重量: 36 mg