T1G4004532-FS射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

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供应T1G4004532-FS射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

Vds-漏源极击穿电压：

32 V

Vgs-栅源极击穿电压：

100 V

Pd-功率耗散：

45 W

闸/源截止电压：

- 2.9 V

询价

产品信息

Qorvo的t1g4004532-fs是45 W（p3db）宽带输入预匹配的离散GaN-on-SiC HEMT由DC至3.5 GHz和32v供电轨。该设备是一个行业标准的空气腔封装，非常适合军事和民用雷达，陆地移动和军用无线电通信，航空电子设备和测试仪器。该器件可以支持脉冲和线性操作。
无铅和RoHS兼容
评估板可根据要求提供。
特别应用：
民用雷达
干扰器
军用雷达
和军用电台
测试仪器
宽带和窄带放大器

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

制造商: Qorvo
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: GaN SiC
Vds-漏源极击穿电压: 32 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 100 V
Pd-功率耗散: 45 W
安装风格: SMD/SMT
封装: Tray
商标: Qorvo
配置: Single
闸/源截止电压: - 2.9 V
高度: 4.064 mm
长度: 9.652 mm
工厂包装数量: 50
宽度: 5.842 mm
零件号别名: 1092444

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