T1G6001032-SM射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

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供应T1G6001032-SM射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

Vds-漏源极击穿电压：

32 V

Id-连续漏极电流：

1.2 A

漏极/栅极电压：

- 2.9 V

Pd-功率耗散：

16 W

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产品信息

美国渠道，进口原装现货，价格合理！

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: Qorvo
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 19 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 32 V
Id-连续漏极电流: 1.2 A
漏极/栅极电压: - 2.9 V
Pd-功率耗散: 16 W
安装风格: SMD/SMT
封装: Tray
商标: Qorvo
工作频率: 3. GHz
产品: GaN RF Power Transistors
系列: T1G
工厂包装数量: 100
类型: GaN SiC HEMT
零件号别名: 1092157

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