TGA2601-SM-T/R射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

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供应TGA2601-SM-T/R射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

Vds-漏源极击穿电压：

5 V

Id-连续漏极电流：

100 mA

工作温度：

+ 200 C

Pd-功率耗散：

500 mW (1/2 W)

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产品信息

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产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
制造商: Qorvo
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管类型: pHEMT
技术: GaAs
增益: 19 dB
Vds-漏源极击穿电压: 5 V
Id-连续漏极电流: 100 mA
工作温度: + 200 C
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFN-16
封装: Reel
商标: Qorvo
NF—噪声系数: 0.7 dB
工作频率: 0.8 GHz to 3 GHz
产品: RF JFET
系列: TGA
工厂包装数量: 2500
类型: GaAs pHEMT
零件号别名: 1071909
单位重量: 57.100 mg

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