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深圳市宇集芯电子有限公司
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询价相关产品
产品信息
产品属性 属性值
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 11.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
系列: FDB12N50TM
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.65 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
下降时间: 35 ns
Pd-功率耗散: 165 W
上升时间: 60 ns
工厂包装数量: 800
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 1.312 g
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 11.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
系列: FDB12N50TM
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.65 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
下降时间: 35 ns
Pd-功率耗散: 165 W
上升时间: 60 ns
工厂包装数量: 800
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 1.312 g