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深圳市宇集芯电子有限公司
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产品信息
制造商: Microsemi
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 2.05 V
在25 C的连续集电极电流: 185 A
栅极—射极漏泄电流: 150 nA
Pd-功率耗散: 650 W
封装 / 箱体: SP3-32
工作温度: - 40 C
工作温度: + 100 C
封装: Tube
商标: Microsemi
安装风格: Screw
栅极/发射极电压: +/- 20 V
工厂包装数量: 1