深圳市宇集芯电子有限公司

BACK TO P 沟道 31V 至 99V

Diodes 致力于提供创新的产品解决方案，满足您的应用产品需求，为消费、通讯、运算、储存、连接及显示技术等主要市场提供现今设计不可或缺的技术。Diodes 针对现今持续成长之计算机、数字影像、嵌入式系统、网络、电信、服务器、储存、超行动及无线技术等极具速度及带宽需求的应用产品，为所需之高速讯号频率、切换、桥接及调节提供必要的解决方案。

制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET 

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-92-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: - 60 V

Id-连续漏极电流: - 160 mA

Rds On-漏源导通电阻: 14 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压: - 1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 625 mW

通道模式: Enhancement

封装: Bulk

高度: 4.01 mm  

长度: 4.77 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

系列: ZVP3306  

晶体管类型: 1 P-Channel  

类型: FET  

宽度: 2.41 mm  

商标: Diodes Incorporated  

正向跨导 - 值: 60 mS  

下降时间: 8 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 8 ns  

工厂包装数量: 4000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 8 ns  

典型接通延迟时间: 8 ns  

单位重量: 453.600 mg