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深圳市宇集芯电子有限公司
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产品信息
BSC117N08NS5
BSC117N08NS5
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TDSON-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 49 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 15 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Single Quad Drain Triple
Pd-功率耗散: 50 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 5
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 值: 19 S
CNHTS: 8541210000
开发套件: EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
下降时间: 3 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 4 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: BSC117N08NS5 SP001295028
单位重量: 506.600 mg