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深圳市宇集芯电子有限公司
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产品信息
DMN10H120SE-13进口原装现货
描述
这一新一代MOSFET的设计是为了尽量减少通电状态。
电阻（rds（on）），同时保持优越的开关性能，
使其成为高效电源管理应用的理想选择。
DMN10H120SE-13
DMN10H120SE-13
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 3.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 10 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Single Dual Drain
Pd-功率耗散: 2.1 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: DMN10
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
CNHTS: 8541290000
下降时间: 2.5 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
产品类型: MOSFET
上升时间: 1.8 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 3.8 ns
单位重量: 112 mg