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深圳市宇集芯电子有限公司
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询价产品信息
IGBT 模块APTGT50SK170T1G Microsemi原装现货
IGBT 模块APTGT50SK170T1G
IGBT 模块APTGT50SK170T1G
IGBT 模块APTGT50SK170T1G
制造商: Microsemi
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 1.7 kV
集电极—射极饱和电压: 2 V
在25 C的连续集电极电流: 75 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 312 W
封装 / 箱体: SP-1
工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
封装: Tube
高度: 11.5 mm
长度: 51.6 mm
工作温度范围: - 40 C to + 150 C
宽度: 40.8 mm
商标: Microsemi
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
单位重量: 80 g