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深圳市宇集芯电子有限公司
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IPW60R037CSFD进口原装现货
型号/规格:IPW60R037CSFD 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 功率特征:大功率 产品种类:MOSFET ID (@25°C)max:25.0 A ID max:25.0 A Operating Temperature min max:-55.0 °C 150.0 °C
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供应DMN2016UTS-13 MOSFET
型号/规格:DMN2016UTS-13 品牌/商标:Diodes 封装形式:TSSOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:8.58 A Vgs - 栅极-源极电压:8 V 工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:880 mW
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供应DMC3021LSD-13进口原装现货
型号/规格:DMC3021LSD-13 品牌/商标:Diodes 封装形式:SOIC-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:8.5 A, 7 A 工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.5 W
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供应MOSFET IPD60R400CE
型号/规格:IPD60R400CE 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-252-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压:600 V 封装:TO-252-3 高度:2.3 mm 长度:6.5 mm
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供应IRLU3410PBF进口原装现货
型号/规格:IRLU3410PBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-251-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:15 A Vgs - 栅极-源极电压:16 V Pd-功率耗散:52 W
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供应DMN10H120SE-13原装现货
型号/规格:DMN10H120SE-13 品牌/商标:DIODES 封装形式:SOT-223-4 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:3.6 A Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V 工作温度:+ 150 C
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供应BSC117N08NS5进口原装
型号/规格:BSC117N08NS5 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:PG-TDSON-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压:80 V Id-连续漏极电流:49 A Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V 工作温度:+ 150 C
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供应JANTX2N7222U原装现货
型号/规格:JANTX2N7222U 品牌/商标:IR 封装形式:TO-254-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 功率特征:超大功率 Vds-漏源极击穿电压:500 V Id-连续漏极电流:8 A Vgs - 栅极-源极电压:20 V 工作温度:+ 125 C
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供应JANTX2N7224U原装现货
型号/规格:JANTX2N7224U 品牌/商标:IR 封装形式:SMD-1-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 功率特征:超大功率 Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:34 A 工作温度:+ 125 C Pd-功率耗散:150 W
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供应JANTX2N7227U原装现货
型号/规格:JANTX2N7227U 品牌/商标:IR 封装形式:SMD-1-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 功率特征:超大功率 Vds-漏源极击穿电压:400 V Id-连续漏极电流:14 A 工作温度:+ 125 C Pd-功率耗散:150 W 产品种类:MOSFET
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供应JANTX2N7221U原装现货
型号/规格:JANTX2N7221U 品牌/商标:IR 封装形式:SMD-1-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压:400 V Id-连续漏极电流:10 A Pd-功率耗散:125 W 工作温度:+ 125 C
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供应JANTX2N7218原装现货
型号/规格:JANTX2N7218 品牌/商标:IR 封装形式:TO-254-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 功率特征:超大功率 Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:28 A Vgs - 栅极-源极电压:20 V 工作温度:+ 125 C
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供应JANTX2N7219U原装现货
型号/规格:JANTX2N7219U 品牌/商标:IR 封装形式:SMD-1-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:单件包装 功率特征:超大功率 Vds-漏源极击穿电压:200 V Id-连续漏极电流:18 A Vgs - 栅极-源极电压:20 V 工作温度:+ 125 C
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供应Infineon IPP075N15N3G进口原装现货
型号/规格:IPP075N15N3G 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-220-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:单件包装 功率特征:超大功率 Id-连续漏极电流:100 A Vgs - 栅极-源极电压:20 V 工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:300 W
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供应STP110N8F6 MOSFET进口原装
型号/规格:STP110N8F6 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-220-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征:超大功率 Vds-漏源极击穿电压:80 V Id-连续漏极电流:110 A 工作温度:+ 175 C 封装:TO-220-3
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Diodes ZVP3306A MOS管
型号/规格:ZVP3306A 品牌/商标:Diodes Incorporated 封装形式:TO-92-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:散装 功率特征:大功率 Vds-漏源极击穿电压:- 60 V Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V 工作温度:+ 150 C Vgs th-栅源极阈值电压:- 1.5 V