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深圳市宇集芯电子有限公司
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企业档案
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- 地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中座10楼10A22室
- 传真:0755-28708773
- E-mail:xiaozheng1608@163.com
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供应EMD3T2R
集电极连续电流:100 mA 峰值直流集电极电流:100 mA 工作温度:+ 150 C 工作温度:- 55 C
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门驱动器SIC779CD-T1-GE3百分百进口原装,假一罚十
电源电压-:16 V 电源电压-:3 V 工作温度:- 40 C 工作温度:+ 125 C
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供应MOSFET威世SQJ910AEP-T1-GE3进口原装假一罚十
Qg-栅极电荷:39 nC, 39 nC Id-连续漏极电流:30 A, 30 A 工作温度:- 55 C 工作温度:+ 175 C
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供应开关稳压器SIC462ED-T1-GE3百分百进口原装
输出电压:800 mV to 48 V 输出电流:6 A 输入电压:60 V 输入电压:4.5 V
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供应微控制器STM32F103C8T6百分百进口原装假一罚十
运行电压范围:2V至3.6V CPU速度:72MHz 程序内存大小:64KB 存储器容量, RAM:20KB
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双极晶体管MPS6523G百分百进口原装现货
集电极—发射极电压 VCEO:25 V 发射极 - 基极电压 VEBO:4 V 集电极—射极饱和电压:0.5 V 工作温度:+ 150 C
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供应BQ25606RGER电池管
工作电源电压:3.9 V to 13.5 V 工作电源电流:3 mA 工作温度:- 40 C 工作温度:+ 85 C
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供应2SK3541T2L罗姆ROHM 2.5V Drive Nch MOSFET_2SK3541
Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:100 mA Vgs - 栅极-源极电压:20 V 工作温度:+ 150 C
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供应BU21024FV-ME2电阻式触摸屏控制器IC
操作温度(°C):40 待机电流μa:60.0 VCC(MIN.)[V]:2.7 Vcc(Max.)[V]:3.6
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供应BU1S12S1AG-LB罗姆A/D转换器
电源电压():2.7 电源电压():5.25 工作温度(分钟)]°C:- 40 工作温度()[°C ]:105
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供应BD9555FVM-C 罗姆CR控制方式计时器IC
电源电压():4.5 电源电压():42 工作温度(分钟):40°C 电路电流(典型值):3
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供应SM320C6455BGTZSEP增强型产品定点数字信号处理器
工作温度:+ 105 C 工作电源电压:1.25 V 时钟频率:1 GHz 工作温度:- 55 C
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供应STM32F103RCT6 ARM微控制器 - MCU
程序存储器大小:256 kB 工作电源电压:2 V to 3.6 V 工作温度:+ 85 C 电源电压-:3.6 V
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供应ADUM241E1BRWZ数字隔离器进口原装现货
电源电压-:5.5 V 电源电压-:1.7 V 工作电源电流:10.3 mA, 11.4 mA 工作温度:+ 125 C
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供应AD7715AN-5模数转换器进口原装现货,假一罚十
工作温度:+ 85 C 工作温度:- 40 C 工作电源电压:5 V Pd-功率耗散:9.5 mW
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供应陀螺仪 ADIS16265BCCZ进口原装现货,假一罚十
工作电源电流:41 mA 电源电压-:5.25 VDC 电源电压-:4.75 VDC 工作温度:+ 105 C
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供应PIC16F887-I/PT微控制器 进口原装现货
时钟频率:20 MHz 数据 RAM 大小:368 B 工作电源电压:2 V to 5.5 V 电源电压-:5.5 V
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供应TMS320F206PZA数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC
时钟频率:20 MHz 程序存储器大小:64 kB 工作电源电压:5 V 工作温度:+ 85 C
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供应ADM690ANZ监控电路
阈值电压:4.65 V 电源电压-:5.5 V 工作温度:+ 85 C 工作电源电流:1.95 mA
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供应AD9901TQ/883B锁相环 - PLL
电源电压-:- 5.46 V, + 5.25 V 电源电压-:- 4.94 V, + 4.75 V 工作温度:- 25 C 工作温度:+ 85 C
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供应A42MX36-1PQG208M进口原装FPGA - 现场可编程门阵列
工作电源电压:3.3 V, 5 V 工作温度:- 55 C 工作温度:+ 125 C 工作频率:151 MHz
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供应A3PE3000L-1FGG484M现场可编程门阵列,进口原装假一罚十
工作电源电压:1.2 V, 1.5 V 工作温度:- 55 C 工作温度:+ 125 C 电源电压-:1.575 V
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供应ADSP-TS201SABP-050数字信号处理器和控制器
工作温度:+ 85 C 工作温度:- 40 C 工作电源电压:1.05 V 电源电压-:1.1 V
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供应AD7705BRUZ模数转换器,进口原装现货,假一罚十
工作温度:+ 85 C 工作温度:- 40 C 增益误差:+/- 0.003 %FSR 工作电源电压:5 V
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供应AD7705BNZ模数转换器,进口原装现货,假一罚十
分辨率:16 bit 采样比:500 S/s 工作温度:+ 85 C 工作电源电压:5 V
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供应ADR4520BRZ-R7参考电压
输出电压:2.048 V 工作温度:+ 125 C 输入电压:3 V to 15 V 工作电源电流:950 uA
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供应SMJ320C6203GLPM20定点数字信号处理器
型号:SMJ320C6203 工作温度范围(C):- 55至125 DSP:1 C62x 评级:军工级
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供应TGC4671混频器 进口原装
RF 值(MHz):71,000 RF 值(MHz):86,000 转换增益(dB):-12 LO 功率(dBm):15
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供应TGC4546-SM上下转换器
工作电源电压:4 V, 5 V 工作电源电流:230 mA, 250 mA 工作温度:+ 85 C 工作温度:- 40 C
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供应TGC4405-SM上变频器/下变频器
RF 值(GHz):17 RF 值(GHz):27 转换增益(dB):13 LO 功率(dBm):2
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供应TGC2610-SM上下转换器 进口原装
RF 值(GHz):10 RF 值(GHz):15.4 IF 值(GHz):4 转换增益(dB):14
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供应TGA2601-SM-T/R射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
Vds-漏源极击穿电压:5 V Id-连续漏极电流:100 mA 工作温度:+ 200 C Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)
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供应T2G6001528-SG射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
Vds-漏源极击穿电压:100 V Id-连续漏极电流:5 A 输出功率:17 W Pd-功率耗散:28 W
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供应T1G4020036-FS射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
频率值(MHz):DC 频率值(MHz):3,500 增益(dB):16 漏极效率(%):52
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供应T1G2028536-FL射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
频率值(MHz):2,000 增益(dB):19 Psat(dBm):54.2 漏极效率(%):54
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供应T1G2028536-FS射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:36 V Vgs-栅源极击穿电压:145 V Id-连续漏极电流:24 A
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供应T1G3000532-SM射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
晶体管极性:N-Channel Vds-漏源极击穿电压:32 V Vgs-栅源极击穿电压:- 2.7 V Id-连续漏极电流:0.6 A
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供应T1G6001032-SM射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
Vds-漏源极击穿电压:32 V Id-连续漏极电流:1.2 A 漏极/栅极电压:- 2.9 V Pd-功率耗散:16 W